Che Pan/Eduardo Baptista

路透北京9月20日 - 中國DRAM芯片製造商CXMT（688825.SS）周日表示，其第五代技術平台已進入量產階段。這一宣稱的突破或將助力中國在全球存儲芯片市場打造出更強大的競爭對手，以對抗三星電子、SK海力士和美光科技。

DRAM（動態隨機存取存儲器）是手機、電腦及其他設備用於運行應用程序和程序的短期工作內存。

該新平台旨在以更低的成本和更低的功耗製造性能更強的內存芯片。今年在上海科創板上市的CXMT表示，這將為電子製造商提供智能手機及其他設備所用芯片的額外供應來源。

作為中國領先的DRAM生產商，CXMT表示，新平台將存儲數據的微小結構排列得更緊密，從而使每顆芯片能容納更多存儲單元，並使每塊硅片能製造出更多獨立芯片。

這家總部位於合肥的內存芯片製造商表示，已將芯片中用於存儲數據部分的關鍵特徵間距縮小至11.95納米，約合120億分之一米。

該公司通過採用「四重露光」工藝實現了這一突破，該工藝通過重複多個製造步驟來生成更精細的電路圖案。

「我們的工藝能力現已達到業內最先進的量產節點水平，」CXMT副總裁兼營銷中心負責人羅曉東在合肥舉行的2026年世界製造業大會上表示。

CXMT發布兩款新芯片

CXMT還發布了兩款基於新平台製造的24千兆比特LPDDR5X產品。LPDDR5X是一種節能型DRAM，主要應用於智能手機和其他便攜式電子設備。

該公司表示，這兩款產品比CXMT此前同類產品的數據存儲量分別提高了50%，目前已投入量產。為適應不同智能手機和便攜式設備的設計需求，這兩款產品提供兩種封裝形式。

CXMT表示，以8千兆比特芯片為基準，該平台每片晶圓的芯片毛產量比其第四代平台至少高出50%。

該指標衡量的是在剔除缺陷芯片前，單片晶圓可生產的潛在芯片數量，而非通過最終測試的芯片比例。

CXMT表示，該平台的開發結合了計算機模擬技術，並在關鍵生產環節與中國芯片設備製造商進行了合作。

這一進展正值北京方面尋求減少對外國半導體技術的依賴之際，自2022年以來，美國的出口管制已限制了中國獲取某些先進芯片製造設備及相關軟件的渠道。