智通財經APP獲悉，花旗發布全球半導體研報，認為AI"持續學習"(continual learning)與推理需求的放量，將驅動企業級 SSD(eSSD)需求在 2027 年按年大增 52.9%;而存儲廠把新增產能集中投向 DRAM/HBM，NAND 供需將在 2027、2028 年出現約 6.1%、5.5% 的缺口。花旗重申買入三星電子(目標價 43 萬韓元)與 SK 海力士(目標價 300 萬韓元)。

需求端：持續學習把"存儲"變成 AI 剛需

與上一代"訓練完成即參數固定"的模式不同，持續學習要求 AI 系統在使用過程中不斷吸收新信息，同時保留此前學到的數據。由此產生的，是對海量歷史數據進行長期保存與快速檢索的需求。花旗認為，隨着持續學習技術日益成熟，eSSD 將成為 AI 推理側的關鍵承載(此前報告《Continual Learning to Fuel HBM/eSSD Demand》已有論述)，這一趨勢將持續推升 2027 年及以後的 eSSD 需求。

2027 年eSSD 需求按年增長52.9%，QLC"近GPU存儲"起量

花旗預計，隨着持續學習滲透率提升、AI 推理需求繼續擴張，2027 年 eSSD 需求按年增長 52.9%，SSD 總需求增速約 45.0%。

技術路線上，XL Flash、HBF 等先進方案，以及 CXL 等存儲互補技術的需求將同步上升;基於 QLC 的"近 GPU 存儲"(near-GPU storage)方案有望加速起量——AI 系統需要在加速器附近配置更大的存儲池，以支持高效的數據留存與檢索。

企業級對沖消費疲軟，中國數據中心是增量看點

相比之下，消費級 NAND 需求可能因手機、PC 市場疲軟而走弱，但花旗判斷，AI 推理相關的 NAND 需求足以對沖這一疲軟。此外，AI 數據中心——尤其是中國的數據中心——正越來越多地考慮以 SSD 替代 HDD，這可能自 2027 年起為 QLC SSD 需求提供進一步的上行空間。

供給端：DRAM/HBM 擠佔產能，NAND 缺口打開

供給端是這篇報告的核心矛盾。花旗預計 2027、2028 年 NAND 需求按年增速分別為 +29%、+33%，跑贏同期 +21%、+25% 的供給增速——原因是存儲廠商將新增產能優先投向 DRAM/HBM 綠地擴產，而非 NAND。

需求結構上，受持續學習與英偉達 KV-cache 卸載(KV-cache offloading)趨勢驅動，高密度 eSSD 需求 2027、2028 年按年增速將分別達 +53%、+41%。由此，NAND 供需狀況將顯著收緊：花旗測算 2027、2028 年 NAND 供需缺口約為 6.1%、5.5%(2026 年約 4.8%)。

投資含義：重申買入三星電子與 SK 海力士

花旗的結論是：持續學習將驅動 eSSD 需求大幅攀升，對沖疲軟的消費級 NAND 需求;KV-cache 卸載與"由 HDD 轉 SSD"的替代需求，將進一步加速高密度存儲的滲透。基於趨緊的 NAND 基本面與 AI 驅動的結構性存儲需求增長，花旗重申三星電子、SK 海力士"買入"評級——兩者均處於有利位置。

花旗給予三星電子12 個月目標價 430,000 韓元，基於 2026 年預期 EBITDA 的分部加總(SOTP)估值。計算總營業價值時，五大業務參考全球同業確定公平價值 EV/EBITDA 倍數：存儲 6.3 倍、代工1.0 倍、顯示面板0.5 倍、手機 4.0 倍、消費電子 2.0 倍，與相關可比公司交易倍數一致。下行風險包括：①HBM 向關鍵客戶出貨的審批延遲超出預期;②PC 銷量弱於預期、NAND 需求不及假設;③競爭對手在存儲半導體/代工領域激進投資，對價格產生負面影響;④手機市場競爭加劇、壓縮三星手機利潤率;⑤韓元大幅升值影響盈利。

花旗給予SK海力士12 個月目標價3,000,000韓元，同樣基於 2026 年預期 EBITDA 的 SOTP 估值。花旗將其業務拆分為 HBM 與大宗存儲兩部分，以反映下一代存儲市場的結構性變化：HBM 業務按接近代工業務的屬性定價(參考台積電等全球同業確定公平價值 EV/EBITDA 倍數)，因為存儲市場正從傳統大宗商品市場演變為高度定製化、貼近客戶的代工式市場;大宗存儲業務則採用歷史上行周期初期/早期階段的 12 個月前瞻 EV/EBITDA 均值。最終對 HBM 分部給予 8.6 倍、大宗存儲分部給予 7.4 倍 EV/EBITDA，得出目標價。下行風險包括：①DRAM 需求下行;②NAND 需求弱於預期;③全球消費疲軟。